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河北TSV小型晶圆喷镀台晶圆

更新时间:2025-02-01 01:02:00 编号:102dhpabi0e72d
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  • TSV小型晶圆喷镀台,晶圆电镀机,晶圆喷镀机,晶圆电镀台

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徐发杰

18515625676

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河北TSV小型晶圆喷镀台晶圆

关键词
晶圆电镀机,TSV工艺,TSV晶圆电镀台,TSV小型晶圆喷镀台
面向地区
全国

前30 min顶部沉积速率的异常下降是由于预处理后时间过
长造成的。在电化学反应之前铜离⼦和添加剂分⼦的充分扩
散导致在初始阶段相对较快的沉积。随着反应的进⾏,电解
液中的铜离⼦从阴极接受电⼦并不断转化为铜。随着纵横比
的增加,铜离⼦向底部的扩散速率降低。铜离⼦的传质限制
降低了沉积到底部的速率。同时,铜离⼦在顶部的积累提⾼
了沉积速率。逐渐地,顶部的电沉积速率超过底部的电沉积
速率,终导致接缝缺陷。

深硅刻蚀设备
通常情况下,制造硅通孔(经常穿透多层⾦属和绝缘材料)采用深反 应离⼦刻蚀
技术(DRIE),常用的深硅刻蚀技术又称为“Bosch(博⽒)” ⼯艺,有初发明该项
技术的公司命名。 如下图所示,⼀个标准Bosch⼯艺循环包括选择性刻蚀和钝
化两个步 骤,其中选择性刻蚀过程采用的是SF6和O2两种⽓体,钝化过程采用
的是 C4F8⽓体。在Bosch⼯艺过程中,利用SF6等离⼦体刻蚀硅衬底,接
着利用C4F8等离⼦体作为钝化物沉积在硅衬底上,在这些⽓体中加⼊O2 等离
⼦体,能够有效控制刻蚀速率与选择性。因此,在Bosch刻蚀过程中 很自然地
形成了⻉壳状的刻蚀侧壁。

嵌⼊式玻璃扇出与集成天线封装
玻璃通孔还可以在玻璃上制作空腔,进⽽为芯片的封装提供⼀种嵌⼊ 式玻璃扇
出(eGFO)的新⽅案。2017年乔治亚理⼯率先实现了用于⾼I/O 密度和⾼频多芯
片集成的玻璃面板扇出封装。该技术在70um厚、⼤小为 300mm*300mm的玻璃
面板上完成了26个芯片的扇出封装,并有效的控 制芯片的偏移和翘曲。2020年
云天半导体采用嵌⼊式玻璃扇出技术开了 77GHz汽⻋雷达芯片的封装,并在此
基础上提出了⼀种⾼性能的天线封装 (AiP)⽅案。

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详细资料

主营行业:灌封胶水
公司主营:灌封胶,三防漆,导电胶,导热垫片
采购产品:灌封胶,导热胶,导电胶,绝缘垫片
主营地区:北京
企业类型:有限责任公司(自然人投资或控股)
注册资金:人民币2000000万
公司成立时间:2016-02-02
员工人数:小于50
经营模式:政府或其他机构
最近年检时间:2016年
登记机关:朝阳分局
经营范围:技术开发、技术咨询、技术服务、技术转让,销售社会公共安全设备、电子产品、仪器仪表,橡塑制品、五金交电(不从事实体店铺经营)、金属材料、化工产品(不含危险化学品)、计算机、软件及辅助设备。(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。)
公司邮编:100000
公司电话:010-65747411
公司网站:www.syource.com
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