TF1200-PECVD石墨烯生长炉氮化硅碳化硅等离子增强化学气相沉积系统
产品别名 |
石墨烯生长炉,氮化硅碳化硅,气相沉积系统 |
面向地区 |
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TF1200-PECVD型等离子增强化学气相沉积系统
产品简介：此款设备配有Plasma实现等离子增强，滑轨式设计在操作时可将实验需要的恒定高温直接推到样品处，使样品能得到一个快速的升温速度，同样也可将高温的管式炉直接推离样品处，使样品直接暴露在室温环境下，得到快速的降温速率。并可选配气氛微调装置，可准确的控制反应腔体内部的气体压力，带刻度的调节阀对于做低压CVD非常简单实用，工艺重复性好，对于石墨烯生长工艺非常合适，也同样适用于要求快速升降温的CVD实验。
主要功能和特点：
1、利用辉光放电产生等离子体电子激活气相；
2、提高了气相反应的沉积速率、成膜质量；
3、可通过调整射频电源频率来控制沉积速率；
4、能广泛用于：石墨烯、SiOx、SiNx、CNx、TiCxNy等薄膜的生长。
滑轨管式炉技术参数
石英管尺寸
L1400mm Φ（60、80、100）
加热元件
掺钼铁铬铝合金电阻丝
测温元件
N型热电偶
加热区长度
440mm
恒温区长度
200mm
工作温度
≤1100℃
控温模式
模糊PID控制和自整定调节，智能化30段可编程控制，具有超温和断偶报警功能
控温精度
±1℃
升温速率
≤20℃/min
电功率
AC220V/50HZ/3KW
质量供气系统技术参数
外形尺寸
600x600x600mm
标准量程
50sccm（CH4）、200sccm（H2）、500sccm（Ar、N2）；
压力表测量范围
-0.1Mpa～0.15Mpa
极限压力
3MPa
针阀
316不锈钢
截止阀
Φ6mm 316不锈钢针阀
电功率
AC220V/50HZ/20W
响应时间
气特性：1～4 Sec，电特性：10 Sec
准确度
±1.5%
线性
±0.5～1.5%
重复精度
±0.2%
接口
Φ6,1/4''
真空系统技术参数
外型尺寸
600×600×600mm
工作电电压
220V±10% 50~60HZ
功率
400W
抽气速率
4Ls
极限真空
4X10-2Pa
实验真空度
1.0X10-1Pa
容油量
1.1L
进气口口径
KF25
排气口口径
KF25
转速
1450rpm
射频电源
信号频率
13.56 MHz±0.005%
功率输出范围
3W-300W 5W-500W可选
大反射功率
200W
射频输出接口
50 Ω, N-type, female
功率稳定度
±0.1%
谐波分量
≤-50dbc
供电电压
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