产品别名 |
时间继电器,保护继电器,电路板,整流单元风扇 |
面向地区 |
品牌 |
GE |
|
类型 |
模块 |
型号 |
IC693BEM331K |
准确度等级 |
1.5 |
测量电流类型 |
交直流两用 |
参比电压 |
220V |
加工定制 |
是 |
重量 |
3.1kg |
外形尺寸 |
55cm*53cm |
IC693BEM331K
IC693BEM331K
传感器芯片结构
在硅芯片受压部（硅膜片）中，与通常的IC制造工序相同，通过杂质扩散形成硅量规。
当压力施加到硅芯片上时，表电阻根据挠度变化，并转换为电信号。（磁阻效应）
该量规的特征在于大的量规比。（金属规格为2-3，硅规格为10到100）。
结果，可以获得高输出，使得可以用厚的膜片来制造，并且改善了压力传感器的耐压性。
目标模型
半导体压力传感器
VDP4，VSW2（用于低压）等
半导体膜片式压力传感器的结构和操作说明
半导体膜片式压力传感器是与测量介质直接接触的具有高耐腐蚀性的金属膜片（相当于Hastelloy C-22，SUS316L等），以及通过压力传感器检测压力的硅芯片（硅膜片）。密封的硅油。）用于双隔膜方法。
SUS316L膜片（或等效的Hastelloy C-22等）通过压力入口与测量介质直接接触，可以稳定地测量未浸入其中的介质（空气，水，油等）。 .. [当连接螺钉的形状为G3 / 8时，将使用O形圈（氟橡胶）来密封管道。]
特征
可以制造可以测量正压力，负压力，耦合压力和绝dui压力的各种传感器元件。
与介质直接接触的压力接收元件等效于Hastelloy C-22，并且可以用SUS316L制造，因此具有的耐腐蚀性。
由于硅芯片的厚膜片可检测压力，因此具有的耐压性
