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四探针方块电阻测试仪四探针双电电阻率测试

更新时间:2022-01-10 14:17:33 信息编号:4721f4bd8cc6c2
四探针方块电阻测试仪四探针双电电阻率测试
280001-2台
25000≥ 3台
  • 28000.00 元

  • 北广精仪

  • 0-500mm

  • 四探针双电电阻率测试,四探针电阻率测试仪,双极板材料四探针,四探针方块电阻测试仪

18911397564

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详情介绍

产品别名
高温四探针电阻率,导电橡胶电阻率测试仪,半导电电阻测试仪,四端法电阻测试仪
面向地区
全国
品牌
北广精仪
量程
0-500mm
精度
1mm
显示方式
数显式
用途
长度
额定电压
6V
加工定制
使用方式
手持式
重量
10 Kg
外形尺寸
mm

四探针方块电阻测试仪四探针双电电阻率测试

四探针方块电阻测试仪
标配:测试平台一套、主机一套、电源线数据线一套。
方法原到扩展电阻法是一种实验比较法。
电阻测量范围:
误差:±0.2%读数±2字
CB/T1550 非本征率导体材料导电类型测试方法 GB/T 1552 硅、储单晶电阻率测定 直排四探针法
胶水固含量的计算以质量分数“W”计,按式计算:
国际标准分类中,四探针法涉及到半导体材料、金属材料试验、绝缘流体、兽医学、复合增强材料、电工器件、无损检测、集成电路、微电子学、土质、
土壤学、水质、电子显示器件、有色金属。
材料:无水纯,化学纯。耐高温PET膜,厚度100µm,宽100mm,耐温度为200℃。聚偏氟希(PVDF),型号为HSV900,纯度≥99.5%。N-甲基吡咯烷酮(NMP),电子级。正极材料,磨口具塞锥形瓶,250mL.磁子,4cm~5cm。
分辨率: 醉小1μΩ

提供中文或英文两种语言操作界面选择,满足国内及国外客户需求
对于电阻率均匀一致的半导体材料来说,探针与半导体材料接触半径为a的扩展电阻用式(1)来表示;
注1:使用的材料和器皿要求干燥。注2:称量过程中尽量避免将PVDF粉末沾到瓶壁和瓶口上。

四端测试法是目前较之测试方法,主要针对要求之产品测试;本仪器广泛用于生产企业、高等院校、科研部门,是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。
GB/T 1551-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法
电流输出:直流电流?0~1000mA?连续可调,由交流电源供电。
GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法
测量电压量程:?2mV? 20mV? 200mV?2V?
GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定.直排四探针法

电阻率: 1×10-6~2×106Ω.cm、
GB/T 14847 重掺杂衬底上轻掺杂建外延层厚度的红外反射测显方法
测量精度±(0.1%读数)
主机外形尺寸:330mm*340mm*120mm
本标准适用于侧量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量材底同型或反型的硅片外延层的电阻率,测量范围,10-* n·cm~10' Ω·cm。
GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
a)两个探针之间的距离大于 10 倍 a; b) 样品电阻率需均匀一致; c) 不能形成表面保护膜或接触势垒。
电导率:5×10-6~1×108ms/cm
在中国标准分类中,四探针法涉及到半金属与半导体材料综合、金属物理性能试验方法、、、电工合金零件、特种陶瓷、质谱仪、液谱仪、能谱仪及其联用装置、电阻器、半导体集成电路、工程地质、水文地质勘察与岩土工程、水环境有毒害物质分析方法、电工材料和通用零件综合、半金属、元素半导体材料、金属无损检验方法。
GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法

量程:1μA,10μA,100μA,1mA,10mA,1000mA,?
电阻:1×10-5~2×105Ω

范围本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。
本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料之电导率。液晶显示,无需人工计算,并带有温度补偿功能,电导率单位自动选择,BEST-300C 材料电导率测试仪自动测量并根据测试结果自动转换量程,无需人工多次和重复设置。选配:配备软件可以由电脑操控,并保存和打印数据,自动生成图表和报表。
测量误差±5%

显示方式:液晶显示
该方法是先测量重复形成的点接触的扩展电阻,再用校准曲线来确定被测试样在探针接触点期近的电阻率。扩展电阻R是导电金属深针与建片上一个参考点之间的电势降与流过探针的电流之比。

电源:220±10% 50HZ/60HZ

本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示,同时显示电阻值、电阻率、方阻、电导率值、温度、压强值、单位自动换算,配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.
试验步骤胶水制备固含量8%胶水配制取适量PVDF粉于洁净干燥的烧杯中,置于真空干燥箱内,70℃真空干燥12h,放入干燥器冷却至室温备用。锥形瓶中先放入磁子,再称量PVDF粉末16.0g,称取NMP184g至锥形瓶中,盖上瓶塞并密封。置于磁力搅拌器上搅拌48h,使PVDF充分溶解。
分辨率: 0.1uV 1uV 10uV 100uV
GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
仪器:分析天平,感量0.0001g。四探针电阻率测试仪由主机、四探针头等组成,整个仪器系统满足JJG 508 I级要求。搅拌机,湿膜制备器,电热鼓风干燥箱,温度可控制在150℃±2℃。真空干燥箱,温度可控制在120℃±2℃。螺旋千分尺,磁力搅拌器。干燥器,装有适宜的干燥剂,例如变色硅胶。
式中;p—-—电阻率,单位为欧姆厘来(0·cm); a——接触率径,单位为厘米(cm) R,——扩展电阻,单位为欧姆(N),等式成立需符合如下三个假定条件;
胶水固含量的测定称取2g(到0.0001g)胶水于洁净干燥的铝箔上,放入120℃电热鼓风干燥箱中干燥2h,置于干燥器冷却至室温后称取质量,得到干燥后胶水和铝箔的总质量m2(n+1)(n≥1),直至后两次称重之差不大于0.0003g为止。计算时取后两次称量小数值为干燥后胶水和铝箔的总质量m2。
规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,敷励根据本标准达成协议的各方研究是香可使用这些文件的新服本。凡是不注日期的引用文件,其新版本适用于本标准。
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