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湖北硅晶碇切片胶,导电银胶 ,硅晶碇切片胶晶圆,摄像头胶 |
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TSV制程关键⼯艺设备
TSV制作⼯艺包括以下⼏步:通孔制作;绝缘层、阻挡层和种⼦层的 沉积;铜填充;
通过化学机械抛光去除多余的⾦属;晶圆减薄;晶圆键合 等。 每⼀步⼯艺都有相
当的技术难度,在通孔制作步骤,保持孔的形状和控制 ⻆度非常重要,通过
Bosch⼯艺来实现深孔刻蚀;在沉积绝缘层、阻挡层 和种⼦层时,需要考虑各层
的均匀性和粘附性;铜填充时避免空洞等 缺陷,这样填充的铜可以在叠层
器件较⾼的温度下保持正常的电性能;⼀ 旦完成了铜填充,则需要对晶圆进⾏
减薄;后是进⾏晶圆键合。
玻璃通孔⾼密度布线
线路转移(CTT)和光敏介质嵌⼊法,是比较常用的⽅式。 CTT主要 包括两个过
程。⼀是精细RDL线预制,每⼀RDL层可以在可移动载体上单 制造⼀层薄导
电层,并在转移到基板上之前测试或检查细线成品率。精 细线路的形成采用细
线光刻和电解镀铜的⽅法,并且以薄铜箔作为镀层的 种⼦层
国内外研究现状
2011年,瑞⼠的微纳系统研究部提出了如下图所示的基于TSV技术圆片级 真空
封装⽅案。该⽅案由TSV封帽与器件层两部分构成,TSV封帽垂直导 通柱是填
充在硅通孔中的铜柱。器件层上制作有⾦锡电极与铜柱相连,从 ⽽把电信号从
空腔内部的引到空腔外部,后通过硅-硅直接键合实现密 封。该⽅案⽓密性
很好,但是TSV封帽制作⼯艺复杂,热应⼒⼤(铜柱与 硅热失配⼤),且硅硅键
合对键合表面要求质量很⾼,⼀般加⼯过的硅片 很难达到此要求。
北京汐源科技有限公司
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