云南TSV小型晶圆喷镀台灌封,晶圆喷镀机

在不同电流密度下的分阶段电沉积实验展示了动态的硅通孔
(TSV) 填充过程。通过控制外加电流密度，可以获得对应于
TSV填充结果的不同形貌。具体来说，低电流密度 (4 mA/
cm 2 ) 会导致接缝缺陷填充，中等电流密度 (7 mA/cm 2 ) 会导
致⽆缺陷填充，⽽⾼电流密度 (10 mA/cm 2 )) 导致空洞缺陷填
充。填充系数分析表明，电流密度对TSV填充模型的影响是
由添加剂和铜离⼦的消耗和扩散的耦合效应触发的。此外，
镀层的形态演变表明局部沉积速率受镀层⼏何特征的影响。
硅通孔 (TSV) 是⼀种很有前途的三维 (3D) 封装技术，具有
⾼性能、减小封装体积、低功耗和多功能等优点。在 TSV ⼯
艺中，通常使用铜电化学沉积 (ECD) 进⾏的通孔填充步骤占
总成本的近 40% 。作为 TSV 的核⼼和关键技术，以小化⼯
艺时间和成本的⽆缺陷填充备受关注。
目

深硅刻蚀设备
通常情况下，制造硅通孔(经常穿透多层⾦属和绝缘材料)采用深反 应离⼦刻蚀
技术(DRIE)，常用的深硅刻蚀技术又称为“Bosch(博⽒)” ⼯艺，有初发明该项
技术的公司命名。 如下图所示，⼀个标准Bosch⼯艺循环包括选择性刻蚀和钝
化两个步 骤，其中选择性刻蚀过程采用的是SF6和O2两种⽓体，钝化过程采用
的是 C4F8⽓体。在Bosch⼯艺过程中，利用SF6等离⼦体刻蚀硅衬底，接
着利用C4F8等离⼦体作为钝化物沉积在硅衬底上，在这些⽓体中加⼊O2 等离
⼦体，能够有效控制刻蚀速率与选择性。因此，在Bosch刻蚀过程中 很自然地
形成了⻉壳状的刻蚀侧壁。

封装之TSV及TGV技术初探
其中，玻璃诱导刻蚀法如下:
1) 使用皮秒激光在玻璃上产⽣变性区域;2)将激光处理过的玻璃放在 氢氟酸溶液
中进⾏刻蚀。

玻璃通孔⾼密度布线
线路转移(CTT)和光敏介质嵌⼊法，是比较常用的⽅式。 CTT主要 包括两个过
程。⼀是精细RDL线预制，每⼀RDL层可以在可移动载体上单 制造⼀层薄导
电层，并在转移到基板上之前测试或检查细线成品率。精 细线路的形成采用细
线光刻和电解镀铜的⽅法，并且以薄铜箔作为镀层的 种⼦层

国内外研究现状
2011年，瑞⼠的微纳系统研究部提出了如下图所示的基于TSV技术圆片级 真空
封装⽅案。该⽅案由TSV封帽与器件层两部分构成，TSV封帽垂直导 通柱是填
充在硅通孔中的铜柱。器件层上制作有⾦锡电极与铜柱相连，从 ⽽把电信号从
空腔内部的引到空腔外部，后通过硅-硅直接键合实现密 封。该⽅案⽓密性
很好，但是TSV封帽制作⼯艺复杂，热应⼒⼤(铜柱与 硅热失配⼤)，且硅硅键
合对键合表面要求质量很⾼，⼀般加⼯过的硅片 很难达到此要求。
基于玻璃通孔的MEMS封装
2013年，LEE等利用玻璃穿孔技术实现射频MEMS器件的晶圆级封装， 采用电
镀⽅案实现通孔的完全填充，通过该⽅案制作的射频MEMS器件在 20GHz时具
有0.197dB的低插⼊损耗和20.032dB的⾼返回损耗。2018年， LAAKSO等创造性
地使用磁辅助组装的⽅式来填充玻璃通孔，并用于 MEMS器件的封装中。