关键词 |
湖北硅晶碇切片胶,绝缘金丝,硅晶碇切片胶半导体,导电导热胶 |
面向地区 |
全国 |
在三维集成中 TSV 技术可分为三种类型:在 CMOS ⼯艺过程之前在硅片 上完成
通孔制作和导电材料填充的是先通孔技术;⽽中通孔,在CMOS制 程之后和后端
制程(BEOL)之前制作通孔。后⼀种后通孔技术是在 CMOS ⼯艺完成后但未
进⾏减薄处理时制作通孔。终技术⽅案的选择要 根据不同的⽣产需求。
在电沉积⼯艺之前,对 TSV 芯片进⾏预处理以排除通孔中的
空⽓并润湿种⼦层。,将 TSV 芯片放⼊吸瓶中并浸⼊去
离⼦⽔中。然后,使用⽔循环泵将抽吸瓶抽空⾄负⽓氛。在
负压下,通孔中的空⽓被推⼊样品片表面。此外,应用间歇
性超声振动去除表面⽓泡,直⾄⽆⽓泡出现,表明预处理完
成。因此,TSV芯片迅速移动到电镀槽中并保持静⽌⾜够长
的时间以确保电镀溶液在通孔内充分扩散。
封装之TSV及TGV技术初探
其中,玻璃诱导刻蚀法如下:
1) 使用皮秒激光在玻璃上产⽣变性区域;2)将激光处理过的玻璃放在 氢氟酸溶液
中进⾏刻蚀。
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